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美国开发出 1 纳米制程技术与设备,但短期内不易进入量产阶段

字号+ 作者: 来源: 2017-05-05

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  【Technews科技新报】晶圆代工大厂包括台积电、英特尔、三星等公司在 2017 年陆续将制程进入 10 纳米阶段,而且准备在 2018 年进入 7 纳米制程的试产,甚至 2020 年还将要推出 5 纳米制程技术。因此,随着制程技术的提升,半导体制程也越来越逼近极限,制造难度也越来越大。就以 5 纳米之后的制程来说,到目前为止都没有明确的结论。对此,美国布鲁克海文国家实验室 (Brookhaven National Laboratory,简称BNL) 的研究人员日前宣布,开发出可以达成 1 纳米制程的相关技术与设备。

  根据外电报导,美国能源部旗下的布鲁克海文国家实验室的研究人员,日前宣布成功的采用电子束印刷技术,成功的制造了尺寸只有 1 纳米的印刷设备。据了解,这个实验室的研究人员采用了电子显微镜,制造出了比普通电子束印刷(EBL)技术所能做出的更小的尺寸。这使得电子敏感性材料在聚焦电子束的作用下,尺寸得以大大缩小,达到了可以操纵单个原子的程度。而这项技术与设备的诞生,则可极大的改变材料特性,从导电变成光传输,或者在这两种状态下交互执行。

  就目前发布的内容来观察,1 纳米印刷使用的是扫描投射电子显微镜(STEM),被隔开 11 纳米,这样一来每平方毫米就能实现 1 兆个特征点(features)的密度。再透过偏差修正 STEM 在 5 纳米半栅极在氢氧矽酸盐类抗蚀剂下,实现了 2 纳米的分辨率。

  虽然,这也不是科学家第一次达到 1 纳米级别的技术,2016 年美国能源部下属的另一个国家实验室也宣布发展出 1 纳米制程技术。这部分所使用的是纳米碳管和二硫化钼等新材料。不过,不管是哪一边所开发出的新技术与设备,就目前来观察,这项技术都不会很快投入量产。因为纳米碳管电晶体跟 PMMA、电子束光刻一样,跟目前的半导体制程技术有著明显差异。因此,要让厂商们一下子全部淘汰现有设备,这还可能需要一段时间的布局。

  (首图来源:Pixabay)

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