在手机的内放音质上，高通方案之前表现的一直不太出彩。以 vivo 为代表的手机品牌，为了获得更优秀的内放音质，在配备了高通标配音频 codec（编码解码器）之外，额外增加独立的 DAC 和运放芯片。不过这一状况在骁龙 835 平台上会有大幅度的改善。

　　在发布骁龙 835 平台的时候，高通为它搭配了一个全新的 Aqstic codec（包含了 DAC、ADC、运放等功能）。这颗 codec 的动态范围达到了 130dB（DAC 模式下），并且居然原生支持 DSD 文件的硬解，要知道，在这之前，唯一一款能支持 DSD 硬解的主流手机是搭载了 ESS ES9038M 独立 DAC 的 vivo Xplay6。

　　此外，高通的工程师还告诉我们，相比起目前 Hi-Fi 手机上用的独立 DAC+ 运放（常见的方案是 ESS 的 DAC 加德仪的运放）方案，这颗 Aqstic codec 在核心指标同样优秀的情况下，功耗控制会优秀很多，成本也要更低。

　　不过需要留意的是，音频 codec 是不集成在 SoC 当中的，因此不排除手机厂商为了控制成本，在手机上选择搭载骁龙 835 但使用更便宜的 codec 的情况。

　　但无论如何，有了这颗配套的 codec，骁龙 835 平台的内放音质值得期待。

　　QC 4 快充：可能没你想象中的快

　　在去年 11 月公布骁龙 835 名字的时候，高通就透露了下一代充电协议 Quick Charge 4（以下简称「QC 4」，注意 4 后面没有「.0」），并且推出 SMB1380、SMB1381 两个电源管理芯片（峰值效率可以达到 95%）。

　　在 QC 4 上，高通放弃了之前在 QC 3.0、QC 2.0 时代的私有协议，转而使用 USB-PD 作为握手协议。不过在这个基础上，高通做了很多自己的技术优化，比如可以在 3V—12V 之间以 20mV 的精度动态电压调节（QC 3.0 电压步进是 200mV），从而提高充电效率。

　　在发布会上，高通目前并没有公布 QC 4 具体的参考充电规格，不过表示「在电池容量为 2750 毫安时的情况下，Quick Charge 4 可以让手机在 15 分钟充 50% 的电量，比 Quick Charge 3.0 快 20%」。

　　关于 QC 4 实际的充电功率，一个比较合理的预期应该在 26——28W 之间，相比中高端手机中常见的 24W 优势不大，QC 4 更大的价值应该是在兼容性和降低发热上。

　　不过好在，高通表示，QC 4 的成本相比 QC 3.0 没有任何增加（不清楚真这个「成本」有没有把充电头算进去）。没啥大意外的话，未来搭载骁龙 835 的手机大部分都会用上 QC 4。

　　弱化 CPU，强调整体平台

　　除了以上提到的这些新特性，骁龙 835 还在目前热门 AR / VR 应用上做了大量的优化（支持 10 bit 色彩，更低的延迟，更精确地运动追踪，用于降低数据运算量的注视点渲染），有望大幅度提升 VR 一体机和手机 VR 设备的体验。

　　此外，在这次的骁龙 835 亚洲首秀上，一个明显的基调就是弱化传统的 CPU 核数和性能，而是更多的强调骁龙 835 是一个 SoC（System on Chip，系统芯片），其中的各个部分可以通过灵活的调度来更高效地处理不同的任务，比如 CPU 擅长顺序运算，GPU 擅长游戏的 3D 图形渲染，DSP 擅长擅长处理多维数据的矩阵运算，在神经网络、图像识别、声音识别等应用场景上有先天的优势。

　　对于消费者来说，虽然凭借着架构和制程的提升，搭载骁龙 835 平台的手机的确比现在的 820 / 821 平台拥有更优秀的性能表现。不过在目前旗舰机性能普遍过剩的背景下，骁龙 835 在实际的运行速度很难有明显的加成。相比之下，骁龙 835 平台更大的意义在 ISP、DSP、Codec 等组件的进步上，让未来搭载骁龙 835 的旗舰手机有望在成像（尤其是双摄机型）、内放音质等方面取得长足的进步。

　　最后，第一款搭载骁龙 835 的旗舰手机三星 Galaxy S8 / S8 Plus 将在北京时间 3 月 29 日晚上 11 点在纽约正式发布，我们极客公园（微信号：geekpark）也会在前往发布会现场，为大家带来第一时间的图文和视频直播。关于骁龙 835 的实际表现究竟如何，我们会在体验了手机之后，第一时间为大家补充。

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